viernes, 2 de diciembre de 2011
INTRODUCCION
La Electrónica de Potencia (EP) es una de las ramas de la Electrónica que más se ha desarrollado en los últimos tiempos. Esto se puede atribuir, entre otras cosas, a la invención del tiristor en el inicio de la década de los años 60. Las limitaciones de tamaño,fragilidad mecánica y, sobretodo tiempos de desionización muy grandes, no permitieron a las válvulas a gas que se empleaban anteriormente ser competitivas en muchas aplicaciones frente, por ejemplo, a grupos motor-generador. Con el creciente número y variedades de circuitos y equipos electrónicos en diversas áreas de aplicación, hoy en día la EP es muy importante puesto que es el campo de la ingeniería responsable por la conversión de la forma de energía eléctrica disponible en otra adecuada a la carga a ser alimentada. En otras palabras, la EP es la disciplina que estudia los sistemas de potencia, encargados de realizar la transformación (procesado) de la energía eléctrica en sus distintas formas (corriente continua, corriente alterna).
1. Un circuito de Potencia, compuesto de semiconductores de potencia y
elementos pasivos, que liga la fuente primaria de alimentación con la carga. En
éste circuito no se utilizan resistencias debido a su elevada disipación de
potencia en forma de calor.
2. Un circuito de mando, que elabora la información proporcionada por el
circuito de potencia y genera unas señales de excitación que determinan la
conducción de los semiconductores controlados con una fase y secuencia
conveniente.
En la EP, el concepto principal es el rendimiento. El elemento de base no puede
trabajar en régimen de amplificación pues las pérdidas serían elevadas, es necesario trabajar en régimen de conmutación, siendo el componente de base el semiconductor quien trabaja como interruptor. Este componente trabajando en conmutación deberá cumplir con las
siguientes características:
• Tener 2 estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro
de baja impedancia (conducción).
• Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y con pequeña
potencia de control.
• Ser capaz de soportar altas tensiones cuando está bloqueado y grandes
intensidades, con pequeñas caídas de tensión entre sus extremos, cuando está
en conducción.
• Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.
Así podemos definir la EP de la siguiente manera: Electrónica de Potencia es la parte
de la electrónica encargada del estudio de dispositivos, circuitos, sistemas y procedimientos para el procesamiento, control y conversión de la energía eléctrica.
Por tanto, cuando se habla en EP, se habla necesariamente de:
• POTENCIA refiriéndose a equipos para operación y distribución de potencia
eléctrica.
• ELECTRÓNICA refiriéndose a dispositivos de estado sólido y circuitos para
procesamiento de señal para alcanzar los objetivos de control deseados.
• CONTROL refiriéndose a las características estáticas y dinámicas de sistemas
de lazo cerrado.
APLICACIONES DE LA ELECTRÓNICA DE POTENCIA
El consumo de la energía, en cifras aproximadas, puede dividirse en tres grandes
bloques:
• El 65% está destinado a motores eléctricos (57% de corriente alterna y el resto
de corriente continua).
• El 20% está dedicado a sistemas de iluminación.
• El resto es consumido por otros.
Actualmente el 50% de la energía es procesada o consumida por equipos electrónicos.
Se prevé que en el futuro, la mayoría de la energía será procesada o consumida por equipos
electrónicos.
La faja de potencia que puede abarcar la EP es muy extensa pudiendo ser desde
algunos watts a varios megawatts. Las aplicaciones más usuales de la Electrónica de Potencia,
entre otras, son:
• Aplicaciones Industriales: control y accionamiento de motores CA y CC,
electrólisis, alarmas, tratamiento ultra-sonico, sistemas de alimentación,
soldaje, control de iluminación, alimentación de motores para compresores,
bombas, ventiladores, inyectores, robótica, hornos de arco y de inducción,
alumbrado, láseres industriales, calentamiento por inducción, fundición, etc.
• Aplicaciones de Transporte: control de tracción de vehículos eléctricos,
cargadores de baterías, locomotoras eléctricas, transporte urbano, metro,
electrónica del automóvil.
• Aplicaciones de Distribución: transmisión de energía en CC (HVDC),
compensación estática de energía reactiva, corrección del factor de potencia,
filtros activos, fuentes de energía renovable (aerogeneradores, paneles solares),
sistemas de almacenamiento de energía (SMES).
• Aplicaciones Aerospaciales: alimentación de satélites y lanzaderas.
Alimentación de aeronaves.
• Aplicaciones Comerciales: calefacción, ventilación, aire acondicionado,
refrigeración, alimentación de ordenadores y equipos, sistemas de alimentación
ininterrumpida.
• Aplicaciones Domésticas: electrodomésticos, refrigeradores, congeladores, aire
acondicionado, cocinas, iluminación, electrónica de consumo.
bloques:
• El 65% está destinado a motores eléctricos (57% de corriente alterna y el resto
de corriente continua).
• El 20% está dedicado a sistemas de iluminación.
• El resto es consumido por otros.
Actualmente el 50% de la energía es procesada o consumida por equipos electrónicos.
Se prevé que en el futuro, la mayoría de la energía será procesada o consumida por equipos
electrónicos.
La faja de potencia que puede abarcar la EP es muy extensa pudiendo ser desde
algunos watts a varios megawatts. Las aplicaciones más usuales de la Electrónica de Potencia,
entre otras, son:
• Aplicaciones Industriales: control y accionamiento de motores CA y CC,
electrólisis, alarmas, tratamiento ultra-sonico, sistemas de alimentación,
soldaje, control de iluminación, alimentación de motores para compresores,
bombas, ventiladores, inyectores, robótica, hornos de arco y de inducción,
alumbrado, láseres industriales, calentamiento por inducción, fundición, etc.
• Aplicaciones de Transporte: control de tracción de vehículos eléctricos,
cargadores de baterías, locomotoras eléctricas, transporte urbano, metro,
electrónica del automóvil.
• Aplicaciones de Distribución: transmisión de energía en CC (HVDC),
compensación estática de energía reactiva, corrección del factor de potencia,
filtros activos, fuentes de energía renovable (aerogeneradores, paneles solares),
sistemas de almacenamiento de energía (SMES).
• Aplicaciones Aerospaciales: alimentación de satélites y lanzaderas.
Alimentación de aeronaves.
• Aplicaciones Comerciales: calefacción, ventilación, aire acondicionado,
refrigeración, alimentación de ordenadores y equipos, sistemas de alimentación
ininterrumpida.
• Aplicaciones Domésticas: electrodomésticos, refrigeradores, congeladores, aire
acondicionado, cocinas, iluminación, electrónica de consumo.
CONVERTIDORES ESTÁTICOS DE ENERGÍA
Los sistemas que procesan la energía suelen denominarse convertidores estáticos de
energía o simplemente convertidores de energía. El adjetivo "estáticos" se debe a que se trata
de circuitos que utilizan semiconductores y no máquinas eléctricas para realizar la conversión,
dado que en los primeros años de la Electrónica de Potencia la conversión de energía se
realizaba por convertidores electromecánicos y esencialmente por máquinas giratorias. Hoy
en día, estas técnicas no son más utilizadas ya que con el surgimiento de los convertidores
estáticos se obtiene un desempeño más adecuado en todos los sentidos.
Por tanto, se puede decir que un convertidor estático de energía es un circuito
electrónico constituido por un conjunto de elementos estáticos formando una red que
constituye un equipo de conexión y transmisión entre un generador y un receptor.
Un convertidor estático de potencia ideal permite la transferencia de energía eléctrica
del generador al receptor con un rendimiento unitario (sin pérdidas).
Por tanto, se puede decir que los elementos que constituyen los convertidores estáticos
de potencia son fundamentalmente de dos tipos:
• Interruptores estáticos: Son elementos semiconductores de potencia que actúan
como interruptores y son llamados de elementos no lineales.
• Elementos reactivos: Son condensadores, inductores y transformadores
responsables por el almacenamiento y aislamiento (en el caso de los
transformadores) de la energía y filtrado de las tensiones y corrientes. También
son los principales responsables por el peso, volumen y coste de los equipos.
Los tipos de conversión estudiados en ésta área son: corriente alterna, CA para
corriente continua, CC (fija o variable), CC para CA (con tensión y frecuencia variable), CC
(fija) para CC (variable) y CA (frecuencia fija) para CA (frecuencia variable) .
Cuando en funcionamiento, el convertidor estático de potencia conecta, por intermedio
de sus interruptores, las mallas del sistema eléctrico (generador o receptor) permitiendo un
flujo controlado de energía entre esos sistemas.
En función de las formas de energía de la entrada y de la salida de un convertidor,
podemos clasificarlos como:
a) Rectificador no controlado: Transforma la corriente alterna de tensión constante en
corriente continua de tensión constante. Formado por diodos, constituye montajes
irreversibles.
b) Rectificador controlado: Transforma la corriente alterna de tensión constante en
corriente continua de tensión variable. Formado por tiristores. El montaje puede ser
reversible, denominándose inversor no autónomo.
c) Reguladores de AC: Transforman la corriente alterna de tensión constante en
corriente alterna de tensión variable y de la misma frecuencia.
d) Cicloconvertidores: Reguladores de alterna o convertidores directos alterna/alterna
de distinta frecuencia.
e) Ondulador autónomo o inversor: Transforman una corriente continua en corriente
alterna de frecuencia fija o variable.
f) Convertidor CC/CC o Troceador: transforma corriente continua de tensión constante
en corriente continua de tensión variable.
Estos convertidores son denominados convertidores directos de energía, pues utilizan
una única etapa de potencia para la conversión. Cuando se emplea más de una etapa de
potencia para realizar una conversión, entonces se habla de convertidores indirectos de
energía, como es el caso de los convertidores indirectos de tensión y frecuencia. La figura 1.4.
muestra los diferentes tipos de convertidores de acuerdo a su clasificación.
energía o simplemente convertidores de energía. El adjetivo "estáticos" se debe a que se trata
de circuitos que utilizan semiconductores y no máquinas eléctricas para realizar la conversión,
dado que en los primeros años de la Electrónica de Potencia la conversión de energía se
realizaba por convertidores electromecánicos y esencialmente por máquinas giratorias. Hoy
en día, estas técnicas no son más utilizadas ya que con el surgimiento de los convertidores
estáticos se obtiene un desempeño más adecuado en todos los sentidos.
Por tanto, se puede decir que un convertidor estático de energía es un circuito
electrónico constituido por un conjunto de elementos estáticos formando una red que
constituye un equipo de conexión y transmisión entre un generador y un receptor.
Un convertidor estático de potencia ideal permite la transferencia de energía eléctrica
del generador al receptor con un rendimiento unitario (sin pérdidas).
Por tanto, se puede decir que los elementos que constituyen los convertidores estáticos
de potencia son fundamentalmente de dos tipos:
• Interruptores estáticos: Son elementos semiconductores de potencia que actúan
como interruptores y son llamados de elementos no lineales.
• Elementos reactivos: Son condensadores, inductores y transformadores
responsables por el almacenamiento y aislamiento (en el caso de los
transformadores) de la energía y filtrado de las tensiones y corrientes. También
son los principales responsables por el peso, volumen y coste de los equipos.
Los tipos de conversión estudiados en ésta área son: corriente alterna, CA para
corriente continua, CC (fija o variable), CC para CA (con tensión y frecuencia variable), CC
(fija) para CC (variable) y CA (frecuencia fija) para CA (frecuencia variable) .
Cuando en funcionamiento, el convertidor estático de potencia conecta, por intermedio
de sus interruptores, las mallas del sistema eléctrico (generador o receptor) permitiendo un
flujo controlado de energía entre esos sistemas.
En función de las formas de energía de la entrada y de la salida de un convertidor,
podemos clasificarlos como:
a) Rectificador no controlado: Transforma la corriente alterna de tensión constante en
corriente continua de tensión constante. Formado por diodos, constituye montajes
irreversibles.
b) Rectificador controlado: Transforma la corriente alterna de tensión constante en
corriente continua de tensión variable. Formado por tiristores. El montaje puede ser
reversible, denominándose inversor no autónomo.
c) Reguladores de AC: Transforman la corriente alterna de tensión constante en
corriente alterna de tensión variable y de la misma frecuencia.
d) Cicloconvertidores: Reguladores de alterna o convertidores directos alterna/alterna
de distinta frecuencia.
e) Ondulador autónomo o inversor: Transforman una corriente continua en corriente
alterna de frecuencia fija o variable.
f) Convertidor CC/CC o Troceador: transforma corriente continua de tensión constante
en corriente continua de tensión variable.
Estos convertidores son denominados convertidores directos de energía, pues utilizan
una única etapa de potencia para la conversión. Cuando se emplea más de una etapa de
potencia para realizar una conversión, entonces se habla de convertidores indirectos de
energía, como es el caso de los convertidores indirectos de tensión y frecuencia. La figura 1.4.
muestra los diferentes tipos de convertidores de acuerdo a su clasificación.
jueves, 1 de diciembre de 2011
INTERRUPTORES ELECTRONICOS
El dispositivo conmutador concentrado utilizado en los circuitos electrónicos de potencia variaran según el estado actual de la tecnología de dispositivos semiconductores. El dispositivo conmutador concreto utilizado en los circuitos electrónicos de potencia variaran según el estado actual de la tecnología de dispositivos semiconductores.Por tanto, los dispositivos semiconductores se modelan normalmente como interruptores ideales. Los interruptores se modelan como cortocircuitos cuando están activos y como circuitos abiertos cuando no lo están.
Diodo de Potencia
Un diodo semiconductor es una estructura P-N que, dentro de sus límites de tensión y
corriente, permite la circulación de corriente en un único sentido. Detalles de funcionamiento,
generalmente despreciados para los diodos de señal, pueden ser significativos para
componentes de mayor potencia, caracterizados por un área mayor (para permitir mayores
corrientes) y mayor longitud (para soportar tensiones inversas más elevadas).
La tensión VF que se indica en la curva estática corriente-tensión se refiere a la caída de
tensión cuando el diodo está conduciendo (polarización directa). Para diodos de potencia, ésta
tensión de caída en conducción directa oscila aproximadamente entre 1 y 2 Volts. Además,
esta caída depende de la corriente que circule, teniéndose una característica corriente - tensión
bastante lineal en la zona de conducción. Esta relación se conoce como la resistencia en
conducción del diodo, abreviada por Ron y que se puede obtener como el inverso de la
pendiente de la asíntota de la curva estática en la zona de polarización directa. La tensión VR
representa la tensión de ruptura del dispositivo (“Breakdown Voltage”) o, lo que es lo mismo,
la máxima tensión inversa que puede soportar el diodo cuando éste está bloqueado
(polarización inversa).
Un diodo de potencia puede soportar tensiones inversas elevadas. Si se supera el valor
de tensión de ruptura especificado por el fabricante, el diodo puede llegar a destruirse por
excesiva circulación de corriente inversa y en definitiva, por excesiva disipación de potencia.
Los diodos de potencia pueden llegar a soportar tensiones de ruptura de kiloVolts (kV), y
pueden conducir corrientes de kiloAmperes (kA).
Tiristores
El nombre de Tiristor proviene de la palabra griega “ηθνρα”, que significa “una
puerta”. El tiristor engloba una familia de dispositivos semiconductores que trabajan en
conmutación, teniendo en común una estructura de cuatro capas semiconductoras en una
secuencia P-N-P-N, la cual presenta un funcionamiento biestable (dos estados estables).
La conmutación desde el estado de bloqueo (“OFF”) al estado de conducción (“ON”)
se realiza normalmente por una señal de control externa. La conmutación desde el estado
“ON” al estado “OFF” se produce cuando la corriente por el tiristor es más pequeña que un
determinado valor, denominada corriente de mantenimiento, (“holding current”), específica
para cada tiristor.
SCR (Rectificador Controlado de Silicio)
El SCR es uno de los dispositivos más antiguos que se conocen dentro de la
Electrónica de Potencia (data de finales de los años 50). Además, continua siendo el
dispositivo que tiene mayor capacidad para controlar potencia (es el dispositivo que permite
soportar mayores tensiones inversas entre sus terminales y mayor circulación de corriente).
El SCR está formado por cuatro capas semiconductoras, alternadamente P-N-P-N, teniendo 3 terminales: ánodo (A) y cátodo (K), por los cuales circula la corriente principal, y
la puerta (G) que, cuando se le inyecta una corriente, hace que se establezca una corriente en
sentido ánodo-cátodo.
Activación o disparo y bloqueo de los SCR
Podemos considerar cinco maneras distintas de hacer que el SCR entre en conducción:
Disparo por tensión excesiva
Cuando está polarizado directamente, en el estado de bloqueo, la tensión de
polarización se aplica sobre la unión J2 (ver figura 2.4). El aumento de la tensión VAK lleva a
una expansión de la región de transición tanto para el interior de la capa de la puerta como
para la capa N adyacente. Aún sin corriente de puerta, por efecto térmico, siempre existirán
cargas libres que penetren en la región de transición (en este caso, electrones), las cuales son
aceleradas por el campo eléctrico presente en J2. Para valores elevados de tensión (y, por
tanto, de campo eléctrico), es posible iniciar un proceso de avalancha, en el cual las cargas
aceleradas, al chocar con átomos vecinos, provoquen la expulsión de nuevos portadores que
reproducen el proceso. Tal fenómeno, desde el punto de vista del comportamiento del flujo de
cargas por la unión J2, tiene el efecto similar al de una inyección de corriente por la puerta, de
modo que, si al iniciar la circulación de corriente se alcanza el límite IL, el dispositivo se
mantendrá en conducción.
Disparo por impulso de puerta
Siendo el disparo a través de la corriente de puerta la manera más usual de disparar el
SCR, es importante el conocimiento de los límites máximos y mínimos para la tensión VGK y
la corriente IG.
Disparo por derivada de tensión
Si a un SCR se le aplica un escalón de tensión positivo entre ánodo y cátodo con
tiempo de subida muy corto, del orden de microsegundos, los portadores sufren un
desplazamiento infinitesimal para hacer frente a la tensión exterior aplicada.
Como se comentó para el caso de disparo por tensión excesiva, si la intensidad de
fugas alcanza el valor suficiente como para mantener el proceso regenerativo, el tiristor
entrará en conducción estable y permanecerá así una vez pasado el escalón de tensión que lo
disparó.
El valor de la derivada de tensión dv/dt depende de la tensión final y de la
temperatura, tanto menor cuanto mayores son éstas.
Disparo por temperatura
A altas temperaturas, la corriente de fuga en una unión P-N inversamente polariz
aproximadamente se duplica con el aumento de 8º C. Así, el aumento de temperatura pu
llevar a una corriente a través de J2 suficiente para llevar el SCR al estado de conducción.
Disparo por luz
La acción combinada de la tensión ánodo-cátodo, temperatura y radiación
electromagnética de longitud de onda apropiada puede provocar también la elevación de la
corriente de fugas del dispositivo por encima del valor crítico y obligar al disparo.
Los tiristores diseñados para ser disparados por luz o tiristores fotosensibles LASCR
(“Light Activated SCR”) suelen ser de pequeña potencia y permiten un aislamiento óptico
entre el circuito de control y el circuito de potencia.
TRIAC
El TRIAC (“Triode of Alternating Current”) es un tiristor bidireccional de tres
terminales. Permite el paso de corriente del terminal A1 al A2 y vivecersa, y puede ser
disparado con tensiones de puerta de ambos signos.
Cuando se trabaja con corriente alterna, es interesante poder controlar los dos sentidos
de circulación de la corriente. Evidentemente, con un SCR, sólo podemos controlar el paso de
corriente en un sentido. Por tanto uno de los motivos por el cual los fabricantes de
semiconductores han diseñado el TRIAC ha sido para evitar este inconveniente. El primer
TRIAC fue inventado a finales de los años 60. Simplificando su funcionamiento, podemos
decir que un TRIAC se comporta como dos SCR en antiparalelo (tiristor bidireccional). De
esta forma, tenemos control en ambos sentidos de la circulación de corriente.
GTO (“Gate Turn-Off Thyristor”)
A pesar de que el GTO fue inventado en el inicio de la década de los años 60, ha sido
poco empleado debido a sus reducidas prestaciones. Con el avance de la tecnología en el
desarrollo de dispositivos semiconductores, se han encontrado nuevas soluciones para mejorar
tales componentes que hacen que hoy ocupen una franja significa dentro de la electrónica de
potencia, especialmente en aquellas aplicaciones de elevada potencia, con dispositivos que
alcanzan los 5000 V y los 4000 A.
Como se ha visto en los apartados anteriores, uno de los inconvenientes de los
tiristores tipo SCR o TRIAC es que no tenemos control externo por parte del usuario del paso
de conducción a bloqueo. Para aquellas aplicaciones en las que nos interese poder bloquear un
interruptor de potencia en cualquier instante es necesario utilizar otro tipo de semiconductores
diferentes a los SCRs o TRIACs. El GTO es un tiristor con capacidad externa de bloqueo. La puerta permite controlar las dos transiciones: paso de bloqueo a conducción y viceversa.
Más conocidos como BJTs (“Bipolar Junction Transistors”), básicamente se trata de
interruptores de potencia controlados por corriente. Como el lector recordará existen dos tipos
fundamentales, los “npn” y los “pnp”, si bien en Electrónica de Potencia los más usuales y
utilizados son los primeros.
MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors)
Así como podemos decir que el transistor bipolar se controla por corriente, los
MOSFET son transistores controlados por tensión. Ello de debe al aislamiento (óxido de
Silicio) de la puerta respecto al resto del dispositivo. Existen dos tipos básicos de MOSFET,
los de canal n y los de canal p, si bien en Electrónica de Potencia los más comunes son los
primeros, por presentar menores pérdidas y mayor velocidad de conmutación, debido a la
mayor movilidad de los electrones con relación a los agujeros.
Diodo de Potencia
Un diodo semiconductor es una estructura P-N que, dentro de sus límites de tensión y
corriente, permite la circulación de corriente en un único sentido. Detalles de funcionamiento,
generalmente despreciados para los diodos de señal, pueden ser significativos para
componentes de mayor potencia, caracterizados por un área mayor (para permitir mayores
corrientes) y mayor longitud (para soportar tensiones inversas más elevadas).
La tensión VF que se indica en la curva estática corriente-tensión se refiere a la caída de
tensión cuando el diodo está conduciendo (polarización directa). Para diodos de potencia, ésta
tensión de caída en conducción directa oscila aproximadamente entre 1 y 2 Volts. Además,
esta caída depende de la corriente que circule, teniéndose una característica corriente - tensión
bastante lineal en la zona de conducción. Esta relación se conoce como la resistencia en
conducción del diodo, abreviada por Ron y que se puede obtener como el inverso de la
pendiente de la asíntota de la curva estática en la zona de polarización directa. La tensión VR
representa la tensión de ruptura del dispositivo (“Breakdown Voltage”) o, lo que es lo mismo,
la máxima tensión inversa que puede soportar el diodo cuando éste está bloqueado
(polarización inversa).
Un diodo de potencia puede soportar tensiones inversas elevadas. Si se supera el valor
de tensión de ruptura especificado por el fabricante, el diodo puede llegar a destruirse por
excesiva circulación de corriente inversa y en definitiva, por excesiva disipación de potencia.
Los diodos de potencia pueden llegar a soportar tensiones de ruptura de kiloVolts (kV), y
pueden conducir corrientes de kiloAmperes (kA).
Tiristores
El nombre de Tiristor proviene de la palabra griega “ηθνρα”, que significa “una
puerta”. El tiristor engloba una familia de dispositivos semiconductores que trabajan en
conmutación, teniendo en común una estructura de cuatro capas semiconductoras en una
secuencia P-N-P-N, la cual presenta un funcionamiento biestable (dos estados estables).
La conmutación desde el estado de bloqueo (“OFF”) al estado de conducción (“ON”)
se realiza normalmente por una señal de control externa. La conmutación desde el estado
“ON” al estado “OFF” se produce cuando la corriente por el tiristor es más pequeña que un
determinado valor, denominada corriente de mantenimiento, (“holding current”), específica
para cada tiristor.
SCR (Rectificador Controlado de Silicio)
El SCR es uno de los dispositivos más antiguos que se conocen dentro de la
Electrónica de Potencia (data de finales de los años 50). Además, continua siendo el
dispositivo que tiene mayor capacidad para controlar potencia (es el dispositivo que permite
soportar mayores tensiones inversas entre sus terminales y mayor circulación de corriente).
El SCR está formado por cuatro capas semiconductoras, alternadamente P-N-P-N, teniendo 3 terminales: ánodo (A) y cátodo (K), por los cuales circula la corriente principal, y
la puerta (G) que, cuando se le inyecta una corriente, hace que se establezca una corriente en
sentido ánodo-cátodo.
Podemos considerar cinco maneras distintas de hacer que el SCR entre en conducción:
Disparo por tensión excesiva
Cuando está polarizado directamente, en el estado de bloqueo, la tensión de
polarización se aplica sobre la unión J2 (ver figura 2.4). El aumento de la tensión VAK lleva a
una expansión de la región de transición tanto para el interior de la capa de la puerta como
para la capa N adyacente. Aún sin corriente de puerta, por efecto térmico, siempre existirán
cargas libres que penetren en la región de transición (en este caso, electrones), las cuales son
aceleradas por el campo eléctrico presente en J2. Para valores elevados de tensión (y, por
tanto, de campo eléctrico), es posible iniciar un proceso de avalancha, en el cual las cargas
aceleradas, al chocar con átomos vecinos, provoquen la expulsión de nuevos portadores que
reproducen el proceso. Tal fenómeno, desde el punto de vista del comportamiento del flujo de
cargas por la unión J2, tiene el efecto similar al de una inyección de corriente por la puerta, de
modo que, si al iniciar la circulación de corriente se alcanza el límite IL, el dispositivo se
mantendrá en conducción.
Disparo por impulso de puerta
Siendo el disparo a través de la corriente de puerta la manera más usual de disparar el
SCR, es importante el conocimiento de los límites máximos y mínimos para la tensión VGK y
la corriente IG.
Disparo por derivada de tensión
Si a un SCR se le aplica un escalón de tensión positivo entre ánodo y cátodo con
tiempo de subida muy corto, del orden de microsegundos, los portadores sufren un
desplazamiento infinitesimal para hacer frente a la tensión exterior aplicada.
Como se comentó para el caso de disparo por tensión excesiva, si la intensidad de
fugas alcanza el valor suficiente como para mantener el proceso regenerativo, el tiristor
entrará en conducción estable y permanecerá así una vez pasado el escalón de tensión que lo
disparó.
El valor de la derivada de tensión dv/dt depende de la tensión final y de la
temperatura, tanto menor cuanto mayores son éstas.
Disparo por temperatura
A altas temperaturas, la corriente de fuga en una unión P-N inversamente polariz
aproximadamente se duplica con el aumento de 8º C. Así, el aumento de temperatura pu
llevar a una corriente a través de J2 suficiente para llevar el SCR al estado de conducción.
Disparo por luz
La acción combinada de la tensión ánodo-cátodo, temperatura y radiación
electromagnética de longitud de onda apropiada puede provocar también la elevación de la
corriente de fugas del dispositivo por encima del valor crítico y obligar al disparo.
Los tiristores diseñados para ser disparados por luz o tiristores fotosensibles LASCR
(“Light Activated SCR”) suelen ser de pequeña potencia y permiten un aislamiento óptico
entre el circuito de control y el circuito de potencia.
TRIAC
El TRIAC (“Triode of Alternating Current”) es un tiristor bidireccional de tres
terminales. Permite el paso de corriente del terminal A1 al A2 y vivecersa, y puede ser
disparado con tensiones de puerta de ambos signos.
Cuando se trabaja con corriente alterna, es interesante poder controlar los dos sentidos
de circulación de la corriente. Evidentemente, con un SCR, sólo podemos controlar el paso de
corriente en un sentido. Por tanto uno de los motivos por el cual los fabricantes de
semiconductores han diseñado el TRIAC ha sido para evitar este inconveniente. El primer
TRIAC fue inventado a finales de los años 60. Simplificando su funcionamiento, podemos
decir que un TRIAC se comporta como dos SCR en antiparalelo (tiristor bidireccional). De
esta forma, tenemos control en ambos sentidos de la circulación de corriente.
GTO (“Gate Turn-Off Thyristor”)
A pesar de que el GTO fue inventado en el inicio de la década de los años 60, ha sido
poco empleado debido a sus reducidas prestaciones. Con el avance de la tecnología en el
desarrollo de dispositivos semiconductores, se han encontrado nuevas soluciones para mejorar
tales componentes que hacen que hoy ocupen una franja significa dentro de la electrónica de
potencia, especialmente en aquellas aplicaciones de elevada potencia, con dispositivos que
alcanzan los 5000 V y los 4000 A.
Como se ha visto en los apartados anteriores, uno de los inconvenientes de los
tiristores tipo SCR o TRIAC es que no tenemos control externo por parte del usuario del paso
de conducción a bloqueo. Para aquellas aplicaciones en las que nos interese poder bloquear un
interruptor de potencia en cualquier instante es necesario utilizar otro tipo de semiconductores
diferentes a los SCRs o TRIACs. El GTO es un tiristor con capacidad externa de bloqueo. La puerta permite controlar las dos transiciones: paso de bloqueo a conducción y viceversa.
Transistores
En Electrónica de Potencia, los transistores generalmente son utilizados como
interruptores. Los circuitos de excitación (disparo) de los transistores se diseñan para que
éstos trabajen en la zona de saturación (conducción) o en la zona de corte (bloqueo). Esto
difiere de lo que ocurre con otras aplicaciones de los transistores, como por ejemplo, un
circuito amplificador, en el que el transistor trabaja en la zona activa o lineal.
Los transistores tienen la ventaja de que son totalmente controlados, mientras que, por
ejemplo, el SCR o el TRIAC sólo dispone de control de la puesta en conducción. Los tipos de
transistores utilizados en los circuitos electrónicos de potencia incluyen los transistores BJT,
los MOSFET y dispositivos híbridos, como por ejemplo, los transistores de unión bipolar de
puerta aislada (IGBT). A continuación veremos cada uno de ellos.
Transistor Bipolar de Potencia (TBP)
Más conocidos como BJTs (“Bipolar Junction Transistors”), básicamente se trata de
interruptores de potencia controlados por corriente. Como el lector recordará existen dos tipos
fundamentales, los “npn” y los “pnp”, si bien en Electrónica de Potencia los más usuales y
utilizados son los primeros.
MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors)
Así como podemos decir que el transistor bipolar se controla por corriente, los
MOSFET son transistores controlados por tensión. Ello de debe al aislamiento (óxido de
Silicio) de la puerta respecto al resto del dispositivo. Existen dos tipos básicos de MOSFET,
los de canal n y los de canal p, si bien en Electrónica de Potencia los más comunes son los
primeros, por presentar menores pérdidas y mayor velocidad de conmutación, debido a la
mayor movilidad de los electrones con relación a los agujeros.
Si bien el TBP fue inventado a finales de los años 40, ya en 1925 fue registrada una
patente que se refería a un método y un dispositivo para controlar el flujo de una corriente
eléctrica entre dos terminales de un sólido conductor. Así mismo, tal patente, que se puede
considerar como la precursora de los Transistores de Efecto de Campo, no redundó en un
componente práctico, puesto que entonces no había tecnología que permitiese la construcción
de los dispositivos. Esto se modificó en los años 60, cuando surgieron los primeros FETs,
pero aún con limitaciones importantes con respecto a las características de conmutación. En
los años 80, con la tecnología MOS, fue posible construir dispositivos capaces de conmutar
valores significativos de corriente y tensión, con velocidad superior al que se obtenía con los
bipolares.
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
El transistor IGBT, de las siglas en inglés “Isolated Gate Bipolar Transistor”, es un
dispositivo híbrido, que aprovecha las ventajas de los transistores descritos en los apartados
anteriores, o sea, el IGBT reúne la facilidad de disparo de los MOSFET con las pequeñas
pérdidas en conducción de los BJT de potencia. La puerta está aislada del dispositivo, con lo
que se tiene un control por tensión relativamente sencillo. Entre el colector y el emisor se
tiene un comportamiento tipo bipolar, con lo que el interruptor es muy cercano a lo ideal
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